Samsung создала 10-нм чипы LPDDR5 DRAM для смартфонов с поддержкой 5G и AI
Samsung Electronics сообщила о своей готовности первой в отрасли начать производство микрочипов оперативной памяти LPDDR5 DRAM на 8-гигабит. При изготовлении модулей будет использоваться 10-нанометровая технология, а их разработка была завершена еще в апреле нынешнего года. Новые модули памяти найдут свое применение в смартфонах с акцентом на работу искусственного интеллекта и в сетях 5G. Помимо мобильных устройств, их можно будет устанавливать в системах машинного обучения и медиацентрах в автомобилях.
Микрочипы LPDDR5 DRAM выйдут в двух версиях, где одна предложит скорость передачи данных 5500 Мбит/с (напряжение 1,05 В) и вторая 6400 Мбит/с (напряжение 1,1 В). Разработчики особо подчеркивают, что модули отличаются энергоэффективностью и позволяют сократить расход энергии до 30%, что положительно отразится на автономности работы устройств. Samsung заявила, что рост производительности стал возможным благодаря нескольким архитектурным усовершенствованиям, в частности вдвое увеличено количество банков памяти (с 8 до 16). К массовому производству LPDDR5 DRAM компания приступит тогда, когда на рынке сформируется достаточный спрос на них.